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200V 16A 125mΩN通道UniFET MOSFET特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-01 发布于北京
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200V 16A 125mΩN通道UniFET MOSFET特性与应用.pdf

    2013年4月

    FDD18N20LZ

    TM

    N通道UniFETMOSFET

    200V，16A，125m

    特性描述

    =125=10=8TM®

    •导通电阻RDS(on)m（最大值）@VGSV,IDAUniFETMOSFET是FairchildSemiconductor基于平面条纹

    •低栅极电荷量（典型值30nC）和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET旨在降低导

    •低Crss（典型值25pF）通电阻，并更好的开关

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