CN119630049A 一种沟槽、锗硅外延层及pmos器件的形成方法 （上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630049A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202311156201.6

(22)申请日2023.09.08

(71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

地址201807上海市嘉定区娄陆公路497号

(72)发明人徐伟天

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师赵素香

(51)Int.Cl.

H10D84/01(2025.01)

H10D84/85(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种沟槽、锗硅外延层及PMOS器件的形成方

法

(57)摘要

CN119630049A本发明提供一种沟槽、锗硅外延层及PMOS器件的形成方法，其中，沟槽的形成方法包括：提供一基底；对基底进行干法刻蚀以形成一沟槽；以及，对基底进行湿法刻蚀以对沟槽进行调整，在湿法刻蚀过程中，对湿法刻蚀的工艺条件进行调整。通过在湿法刻蚀的过程中调整工艺条件，可以实现对于干法刻蚀形成的不够优化的沟槽的形貌进行调整，实现更精确的控制沟槽的形貌特征，进而提高锗硅外延层生长的形貌精确性，优化PMOS器件性能；还可以实现对沟槽的不同尺寸进行协同调节，同时修正沟槽的至少两个方向上

CN11963004