CN119630110A 一种ⅱ类超晶格红外探测器的台面开孔刻蚀方法 （山西创芯光电科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630110A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202510158078.4

(22)申请日2025.02.13

(71)申请人山西创芯光电科技有限公司

地址030000山西省太原市小店区南内环

街16号二号厂房一层

(72)发明人郭健张培峰文晋苏莹

薛建凯冯伟李斌陈龙华

(74)专利代理机构太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)14109

专利代理师孟肖阳崔浩

(51)Int.Cl.

H10F71/00(2025.01)

H10F30/21(2025.01)

权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种Ⅱ类超晶格红外探测器的台面开孔刻

蚀方法

(57)摘要

CN119630110A本发明提供了一种Ⅱ类超晶格红外探测器的台面开孔刻蚀方法，属于红外探测器台面刻蚀技术领域；解决了现有Ⅱ类超晶格红外探测器制备工艺在台面开孔刻蚀存在的刻蚀速率低、刻蚀不干净、刻蚀时间长等问题；采用的技术方案为：沉积无机掩膜层之前在开孔位置涂上光刻胶，前期通过较短时间的干法刻蚀和清洗去胶结合的方式，提前在无机掩膜层内部形成开孔结构，在后续工艺中不需要对台面孔内进行干法刻蚀，进而避免由于孔内刻蚀速率较小或无机掩膜层