高压光晶体管光耦合器特性及应用概述.pdfVIP

2009年9月

4N38M,H11D1M,H11D2M,H11D3M,MOC8204M高压

光晶体管光耦合器

特性概述

■高电压：–MOC8204M,BVCER4N38M、H11DXM和MOC8204M是光敏晶体管型光

=400V–H11D1M,H11D2M,BVCER电耦合器。砷化镓红外发光二极管与高压NPN硅光敏晶

=300V–H11D3M,BVCER=200V体管耦合。该器件采用塑料六脚双列直插式封装。

■高电压：–7500VAC

峰值，1秒

■UnderwritersLaboratory(UL)认证文件

号E90700，第2卷

■IEC60747‑5‑2认证（订购选项V）

应用

■电源调节器

■数字逻辑输入

■微处理器输入

■家电传感器系统

■工业控制

电路图