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2025年电子信息产品设计与制造手册

第1章

1.1半导体材料与器件基础

硅基半导体是当今信息产业的基石，其核心材料为高纯度的多晶硅，通过高温Czochralski（CZ）法拉制出直径20-50mm的硅锭，再经单晶生长工艺制成晶圆，厚度控制在500μm左右，表面经过等离子体刻蚀（PECVD）沉积10-20nm厚的金属栅极，形成MOS结构，这是现代CPU和内存芯片的物理基础。在先进制程节点（如3nm、2nm），传统硅材料面临物理极限，因此科学家正在探索基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的化合物半导体，SiC器件具有更高的击穿电压和热导率，适合用于5G基站和电动汽车逆变器，而GaN器件则广泛应用于高频功率放大电路，其开关频率可提升30%以上。

新型二维材料如石墨烯和过渡金属硫族化合物（TMDs）正在突破传统半导体尺寸限制，石墨烯具备极高的载流子迁移率，理论上可支撑100nm以下的晶体管尺寸，而TMDs在室温下表现出类似硅的半导体特性，为后摩尔时代的小尺寸器件提供了新的材料选择方案。金属互连技术从铜互连向铜铟锡合金（CuInSn）演进，以解决铜互连在28nm节点以下出现的铜迁移和界面态问题，CuInSn合金具有更低的电阻率和更高的热稳定性，已在部分高端芯片制造流程中开始试点应用。2D半导体器件如石墨烯晶体管、碳纳米