ZL 202010942523.3-一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法-授权.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.82万字
  • 约 13页
  • 2026-06-01 发布于重庆
  • 举报

ZL 202010942523.3-一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法-授权.pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114242652B

(45)授权公告日2026.05.29

(21)申请号202010942523.3H10P76/40(2026.01)

H10P76/20(2026.01)

(22)申请日2020.09.09

H10P50/28(2026.01)

(65)同一申请的已公布的文献号

H10P74/00(2026.01)

申请公布号CN114242652A

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档