CN119768045A CrSi薄膜电阻制备方法、电阻器件制备方法及电阻器件 (华南理工大学).pdfVIP

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  • 2026-06-01 发布于重庆
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CN119768045A CrSi薄膜电阻制备方法、电阻器件制备方法及电阻器件 (华南理工大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119768045A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411972659.3

(22)申请日2024.12.30

(71)申请人华南理工大学

地址510000广东省广州市天河区五山路

申请人粤芯半导体技术股份有限公司

(72)发明人陈厚余刘玉荣李振文张拥华

(74)专利代理机构北京泽方誉航专利代理事务

所(普通合伙)11884

专利代理师陈照辉

(51)Int.Cl.

H10N97/00(2023.01)

权利要求书1页说明书7页附图5页

(54)发明名称

CrSi薄膜电阻制

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