CN119631022A 抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法以及半导体装置的制造方法 （日产化学株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119631022A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202380055741.7

(22)申请日2023.07.27

(30)优先权数据

2022-1233622022.08.02JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.22

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0275492023.07.27

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/029445JA2024.02.08

(71)申请人日产化学株式会社地址日本

(72)发明人德永光远藤雅久

(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所

11247

专利代理师马妮楠段承恩

(51)Int.Cl.

G03F7/11(2006.01)

C08G61/12(2006.01)

G03F7/004(2006.01)

G03F7/20(2006.01)

H01L21/027(2006.01)

权利要求书4页说明书63页

(54)发明名称

抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法以及半导体装置的制造方法

(57)摘要

CN119631022A提供除了蚀刻耐性、耐热性以外，固化性、产生的升华物量、平坦化性、光学特性(曝光时