CN119631598A 半导体装置和半导体装置的制造方法 （索尼半导体解决方案公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119631598A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202380055293.0

(22)申请日2023.07.27

(30)优先权数据

2022-1277342022.08.10JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.21

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0275022023.07.27

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/034411JA2024.02.15

(71)申请人索尼半导体解决方案公司地址日本神奈川县

(72)发明人君冢直彦

(74)专利代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290

专利代理师姚鹏陈桂香

(51)Int.Cl.

H10F39/18(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D30/62(2025.01)

权利要求书1页说明书14页附图9页

(54)发明名称

半导体装置和半导体装置的制造方法

(57)摘要

CN119631598A本公开涉及能够实现抑制短沟通效应并且提高驱动能力的半导体装置以及用于制造所述半导体装置的方法。所述半导体装置包括场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：形成在半导体基板上的源极区域和漏极区域；