CN119631579A 将端子附接至用于半导体功率模块的金属衬底结构的方法以及半导体功率模块 （日立能源有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119631579A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202280098678.0

(22)申请日2022.08.01

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.26

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2022/0715402022.08.01

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/027891EN2024.02.08

(71)申请人日立能源有限公司地址瑞士苏黎世

(72)发明人D·吉隆M·拜耳A·罗斯奇G·A·塞尔瓦托

(74)专利代理机构北京市汉坤律师事务所11602

专利代理师王其文张涛

(51)Int.Cl.

H05K3/32(2006.01)

H01L21/48(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

将端子附接至用于半导体功率模块的金属

衬底结构的方法以及半导体功率模块

(57)摘要

CN119631579A一种用于将端子(4)附接至用于半导体功率模块(10)的金属衬底结构(3)的方法，包括：提供至少一个端子(4)，提供金属衬底结构(3)，该金属衬底结构具有金属顶层(17)、金属底层(19)以及设置在金属顶层(17)与金属底层(19)之间的