CN119637871B 一种利于硅沉积的复合多孔碳的制备方法及硅炭复合负极 （浙江格源新材料科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119637871B

(45)授权公告日2025.05.16

(21)申请号202510162443.9

(22)申请日2025.02.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119637871A

(43)申请公布日2025.03.18

(73)专利权人浙江格源新材料科技有限公司

地址324000浙江省衢州市柯城区智慧大

道333号智慧谷科技园C座207

(72)发明人徐泉曹伟任天论代志津

(74)专利代理机构北京中知星原知识产权代理事务所(普通合伙)11868

专利代理师艾变开王维佳

(51)Int.Cl.

C01B32/336(2017.01)

H01M4/133(2010.01)

H01M4/134(2010.01)

H01M10/0525(2010.01)

C01B32/318(2017.01)

C01B33/035(2006.01)

(56)对比文件

IN202017033569A,2020.09.18

CN118458746A,2024.08.09审查员马健

权利要求书2页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种利于硅沉积的复合多孔碳的制备方法

及硅炭复合负极

(57)摘要

CN11963