数据表 FZ1000R33HL3 - Infineon Technologies说明书用户手册.pdf

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FZ1000R33HL3

IHM-B模块

IHM-B模块采用第三代沟槽栅/场终止IGBT3和第三代发射极控制二极管

特性

•电气特性

-VCES=3300V

-ICnom=1000A/ICRM=2000A

-无与伦比的坚固性

-高直流电压稳定性

-高短路能力

-低VCEsat

-T=150°C

vjop

-VCEsat带正温度系数

•机械特性

-碳化硅铝(AlSiC)基板提供更高的温度循环能

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