CN119637863A 一种量子点掺杂还原氧化石墨烯薄膜及其制备方法 (长沙华希新材料有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.43万字
  • 约 21页
  • 2026-06-02 发布于山西
  • 举报

CN119637863A 一种量子点掺杂还原氧化石墨烯薄膜及其制备方法 (长沙华希新材料有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119637863A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510185809.4

(22)申请日2025.02.20

(71)申请人长沙华希新材料有限公司

地址410000湖南省长沙市岳麓区岳麓街

道溁左路中南大学科技园研发总部6

栋162号

(72)发明人左薇耿占吉

(74)专利代理机构长沙昌恒达专利代理事务所(普通合伙)43283

专利代理师胡昌国

(51)Int.Cl.

C01B32/194(2017.01)

C01B32/184(2017.01)

B82Y40/00(2011.01)

H02N3/00(2006.01)

权利要求书2页说明书10页

(54)发明名称

一种量子点掺杂还原氧化石墨烯薄膜及其

制备方法

(57)摘要

CN119637863A本发明提出了一种量子点掺杂还原氧化石墨烯薄膜及其制备方法,属于复合材料技术领域。将柠檬酸、植酸、3一氨基苯基硼酸加热反应制得P/B/N共掺杂石墨烯量子点,负载镧元素后,表面经过带有环氧基的硅烷偶联剂改性,与苯胺四聚体反应,制得复合物,加入氧化石墨烯水分散液中,抽滤,浸泡在碘化钾一盐酸溶液中,加热密封反应,洗涤,干燥,制得量子点掺杂还原氧化石墨烯薄膜。本发明制得的量子点掺杂还原氧化石

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档