CN119640390A 一种大直径单晶硅用高强度籽晶及其制备方法 （北京麦竹吉科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119640390A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510176871.7

(22)申请日2025.02.18

(71)申请人北京麦竹吉科技有限公司

地址100085北京市海淀区上地信息路1号

1号楼21层2102-1

(72)发明人陶莹

(74)专利代理机构北京京智汇一专利代理事务所(普通合伙)16374

专利代理师夏晶

(51)Int.Cl.

C30B15/36(2006.01)

C30B29/06(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

一种大直径单晶硅用高强度籽晶及其制备

方法

(57)摘要

CN119640390A本发明属于籽晶制造技术领域，具体是指一种大直径单晶硅用高强度籽晶及其制备方法，所述大直径单晶硅用高强度籽晶包括以下重量份数的原料：第一籽晶区硅液30份、第二重掺区硅液20份和第三轻掺区硅液10份；本发明采用独特分区设计提升大直径单晶硅用高强度籽晶性能；于第一籽晶区，高温下碳化硅与硅反应引入单质碳，其阻碍位错、增强晶界，提升强度与韧性；借高导热率改善籽晶质量；同时，引入氮化硅在少氧条件生成Si2N2O，与单质碳形成共价键；在第二籽晶区，引入重掺杂原子形成缺陷，强化与第一籽晶区碳的结合，为第