CN119864316A 深沟槽隔离结构及其制备方法 （普冉半导体(上海)股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119864316A

(43)申请公布日2025.04.22

(21)申请号202411945028.2

(22)申请日2024.12.27

(71)申请人普冉半导体（上海）股份有限公司

地址201210上海市浦东新区申江路5005

弄1号9层整层（实际楼层8楼）

(72)发明人薛小帅

(74)专利代理机构上海硕力知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31251

专利代理师周梦娜

(51)Int.Cl.

H01L21/762(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

深沟槽隔离结构