CN119637814A 一种层状三元硒化物、层状三元硒化物单晶材料及其制备方法 （季华实验室）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119637814A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510168529.2

(22)申请日2025.02.17

(71)申请人季华实验室

地址528200广东省佛山市南海区桂城街

道环岛南路28号

(72)发明人米少波李鹏路璐张传林

(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268

专利代理师范美意

(51)Int.Cl.

C01B19/00(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图6页

(54)发明名称

一种层状三元硒化物、层状三元硒化物单晶

材料及其制备方法

(57)摘要

CN119637814A本发明公开了一种层状三元硒化物、层状三元硒化物单晶材料及其制备方法，属于晶体材料技术领域。该层状三元硒化物的化学式为In2Ge2Se6，采用特定配比的铟粉、锗粉、硒粉为原料，通过高温熔融、特定温度区间保温和淬火工艺，实现了层状三元硒化物In2Ge2Se6单相材料的合成，该材料具有较窄的带隙和较低的热导率，且通过机械剥离法可制备其毫米级面积的薄层纳米片单晶材料，可应用于半导体光电器件、太

CN119637814A

CN119637814A权利要