CN119803867A 一种半导体激光发生装置的偏振特性测试方法及测试装置 (华科微磁(北京)光电技术有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-03 发布于重庆
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CN119803867A 一种半导体激光发生装置的偏振特性测试方法及测试装置 (华科微磁(北京)光电技术有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119803867A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411962428.4

(22)申请日2024.12.30

(71)申请人华科微磁(北京)光电技术有限公司

地址100043北京市石景山区实兴大街30

号院3号楼2层A-0466房间

(72)发明人陶桦

(74)专利代理机构北京智沃律师事务所11620

专利代理师梁晨

(51)Int.Cl.

G01M11/02(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种半导体激光发生装置的偏振特性测试

方法及测试装置

(57)摘要

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