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NDS355AN N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-03 发布于北京
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NDS355AN N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

    1997年1月

    N

    NDS355AN

    N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管r

    一般描述特性

    使用国家的专有高单元密度DMOS技术生产的1.7A，30V，R=0.125@V=4.5VR

    DS(ON)GS

    TM

    SuperSOT‑3N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体=0.085@V=10V。采用专有的

    DS(ON)

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