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探秘n型ZnO：欧姆接触与肖特基接触电极的性能优化与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子学领域中扮演着至关重要的角色。氧化锌（ZnO）作为一种直接禁带、宽带隙半导体材料，在室温下具有3.37eV的禁带宽度以及60meV的激子束缚能，展现出了一系列独特的物理性质和广泛的应用前景，吸引了众多科研人员的关注。

ZnO的晶体结构主要为六方纤锌矿结构，这种结构赋予了它良好的稳定性和独特的物理特性。在光电性能方面，其较大的禁带宽度和激子束缚能，使得ZnO在短波长光电器件领域具有极大的应用潜力。例如，在发光二极管（LEDs）中，ZnO能够实现