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ZL 202210523752.0-衬底处理方法、衬底处理装置、记录介质及半导体器件的制造方法-授权.pdfVIP

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  • 2026-06-04 发布于重庆
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ZL 202210523752.0-衬底处理方法、衬底处理装置、记录介质及半导体器件的制造方法-授权.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115547822B

    (45)授权公告日2026.05.29

    (21)申请号202210523752.0(51)Int.Cl.

    H10P50/20(2026.01)

    (22)申请日2022.05.13

    H10P72/00(2026.01)

    (65)同一申请的已公布的文献号

    (56)对比文件

    申请公布号CN115547822A

    US2021159088A1,2

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