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2022长鑫存储研发岗在线测评历年考题及答案整理

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM单元中，用于存储电荷的最核心器件是

A.多晶硅电阻B.沟道电容C.MOS管D.隧道二极管

2.3DNAND中，垂直方向堆叠的栅极层间隔离最常用的介质是

A.SiO?B.Al?O?C.HfO?D.Si?N?

3.下列哪一项不是影响DRAM刷新周期的主要因素

A.单元电容值B.亚阈值漏电流C.位线长度D.字线驱动电压

4.在FinFET结构中，栅极对沟道的静电控制主要通过

A.体效应B.三栅耦合C.源极退化D.漏极诱导势垒降低

5.用于表征光刻胶分辨率极限的瑞利公式中，与数值孔径NA成反比的是

A.曝光剂量B.工艺因子k?C.波长λD.焦深DOF

6.在铜双大马士革工艺中，阻挡层金属通常选用

A.TiB.Ta/TaNC.WD.Co

7.下列哪种失效机制与电迁移无关

A.空洞形成B.小丘生长C.应力迁移D.热载流子注入

8.对于1T1CDRAM单元，读取时位线预充电平一般取

A.VDDB.VDD/2C.VSSD.浮动

9.在EUV光刻中，用于