MOCVD法制备非极性ZnO和ZnMgO薄膜及其性能的深度剖析与应用展望.docx

MOCVD法制备非极性ZnO和ZnMgO薄膜及其性能的深度剖析与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域，材料的性能对于器件的发展起着关键作用。氧化锌（ZnO）作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，凭借其众多优良特性，在多个领域展现出巨大的应用潜力。

ZnO的禁带宽度约为3.37eV，且拥有较大的激子束缚能（约60meV）。较大的激子束缚能使得激子在室温下能够稳定存在，这为基于激子发光的光电器件提供了良好的基础，使其在室温下即可实现高效的激子复合发光，从而在紫外发光二极管、激光二极管等光电器件的应用中具有显著优势。同时，ZnO原料来源广泛，在自然界中