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半导体物理题库及分析

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

关于本征半导体的载流子浓度，下列说法正确的是（）

A.本征载流子浓度与温度无关

B.本征载流子浓度随温度升高呈指数增长

C.本征半导体中电子浓度远大于空穴浓度

D.掺杂会提高本征半导体的载流子浓度

答案：B

解析：本征载流子浓度由本征激发决定，而本征激发的概率随温度升高呈指数增长，因此选项B正确。选项A错误，温度是影响本征载流子浓度的核心因素；选项C错误，本征半导体中电子浓度等于空穴浓度；选项D错误，掺杂后的半导体属于杂质半导体，不再是本征半导体，且本征载流子浓度仅由材料和温度决定，与掺杂无关。

下列哪种杂质在硅中会形成N型半导体（）

A.硼（B）

B.铝（Al）

C.磷（P）

D.镓（Ga）

答案：C

解析：磷是V族元素，在硅晶体中替代硅原子时，会多出一个价电子，这个电子容易脱离杂质原子成为自由电子，从而使半导体中电子浓度远高于空穴浓度，形成N型半导体，因此选项C正确。选项A、B、D均为III族元素，在硅中会形成受主杂质，产生空穴，形成P型半导体，因此错误。

载流子的迁移率反映了（）

A.载流子的浓度大小

B.载流子在电场中的运动能力

C.载流子的寿命长短

D.半导体的导电能力强弱

答案：B

解析：迁移率的定义是载流子在单位电场强度下的漂移速度，直接反映了载流子在电场中的运动能力，