CN119758669A 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物及其制备方法和应用 (福建泓光半导体材料有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-04 发布于重庆
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CN119758669A 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物及其制备方法和应用 (福建泓光半导体材料有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119758669A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411938360.6

(22)申请日2024.12.26

(71)申请人福建泓光半导体材料有限公司

地址363118福建省漳州市高新区九湖镇

林前村林前773号

(72)发明人王晓雄王静曾成财

(74)专利代理机构厦门荔信律和知识产权代理

有限公司35282

专利代理师赖秀华

(51)Int.Cl.

G03F7/11(2006.01)

权利要求书2页说明书9页

(54)发明名称

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物及其制备

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