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电子技术基础试卷及分析

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

硅材料普通整流二极管的正向导通压降典型值约为下列哪一数值？

A.正向导通压降典型值为0.2V

B.正向导通压降典型值为0.7V

C.正向导通压降典型值为1.5V

D.正向导通压降典型值为3.3V

答案：B

解析：硅基普通二极管的PN结正向导通时，内建电场被抵消的典型阈值为0.6到0.7V，符合常规参数范围。选项A是锗材料二极管的正向导通压降典型值，不符合硅管参数；选项C、D的数值远大于常规PN结的导通阈值，属于特殊功率二极管的极端工况参数，不符合普通整流管的特性。

NPN型双极型三极管实现线性电压放大时，三个电极的偏置关系应当满足下列哪一选项？

A.发射结正偏、集电结反偏

B.发射结反偏、集电结正偏

C.发射结和集电结均正偏

D.发射结和集电结均反偏

答案：A

解析：三极管放大区的核心偏置条件就是发射结正偏、集电结反偏，此时基极电流可以线性控制集电极电流，实现信号放大。选项B对应三极管工作在反向放大状态，放大能力极弱几乎没有实用价值；选项C对应三极管工作在饱和区，相当于开关导通状态；选项D对应三极管工作在截止区，相当于开关断开状态。

理想运算放大器工作在线性区时，“虚短”特性指的是下列哪一表述？

A.两个输入端的输入电流近似为零

B.两个输入端的电位近似相等

C.输出端电压近似等于电源电压