CN119767721A 一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构 （海宁立昂东芯微电子有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119767721A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411956418.X

(22)申请日2024.12.28

(71)申请人海宁立昂东芯微电子有限公司

地址314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经

济开发区施带路17号

(72)发明人方晨王彦硕李正国

(74)专利代理机构浙江京衡律师事务所33372

专利代理师郭锦春

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

H01L21/28(2025.01)

H10D64/27(2025.01)