半导体制造技术题库答案样本.pdfVIP

分别简述RVD和GILD原理，它们优缺陷及应用方向。

迅速气相掺杂（RVD,RapidVapor-phaseDoping）运用迅速热解决过程（RTP）将在掺杂剂

氛围中硅片迅速均匀地加热至所需要温度，同步掺杂剂发生反映产生杂质原子，杂质原子直接

从气态转变为被硅表面吸附固态，然后进行固相扩散，完毕掺杂目。

同普通扩散炉中掺杂不同，迅速气相掺杂在硅片表面上并未形成具有杂质玻璃层；同离子注

入相比特（别是在浅结应用上），RVD技术潜在优势是：它并不受注入所带来某些效应影响；对

于选取扩散来说，采用迅速气相掺杂工艺仍需要掩膜。此外，迅速气相掺杂依然要在较高温度

下完毕。杂质分布是非抱负指数形式，类似固态扩散，其峰值在表面。

气体浸没激光掺杂（GILD:GasImmersionLaserDoping）用准分子激光器（308nm）产生高

能量密度（0.5—.0J/cm）短脉冲（0-100ns）激光，照射在气态源中硅表面；硅表面因吸取能

量而变为液体层；同步气态掺杂源由于热解或光解作用产生杂质原子；通过液相扩散