1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子设计

半导体器件基础课件第7讲_889308718.pptVIP

  • 2
  • 0
  • 约5.86千字
  • 约 19页
  • 2026-06-04 发布于河北
  • 举报

半导体器件基础课件第7讲_889308718.ppt

    第7讲(19)2.1.2N沟道耗尽型MOS管一、N沟道耗尽型MOS管构造及工作原理1.结构及电路符号(1)结构?特点:VGS=0时已形成反型层，存在初始导电沟道,VDS?0时,ID?0。(2)电路符号2.1.2N沟道耗尽型MOS管（续）2.工作原理(1)VGS对沟道的控制作用?VGS=0存在初始导电沟道VDS?0时，ID?0?VGS?0，SiO2中电场向下，吸引电子增加，沟道变厚，沟道电阻减小，ID增加?VGS?0，SiO2中电场向上，排斥电子，沟道变薄

    沟道电阻加大，ID减小?夹断现象与夹断电压VGS(off)

    VGS=

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >