半导体器件基础课件第6讲_341803921.pptVIP

第6讲(15)2.1MOS场效应管2.1.1N沟道增强型MOSFET一、N沟道增强型MOSFET的结构?结构?电路符号（类型、电极、电流方向）?沟道的长度L和宽度W 2.1.1N沟道增强型MOSFET(续)二、N沟道增强型MOSFET的工作原理?原理电路?偏压VGS?0，VDS?0（同NPN）1.VGS对导电沟道的控制作用(VDS=0)?S、B短接；VDS=0(1)VGS=0：D、S间为NP、PN两个PN结，无导电沟道，不导通。(2)0?VGS?VGS(th)G极下SiO中产生纵向电场，吸引衬底的电子，但纵向电场弱，吸引电子少，和空穴复合，G极下表面形成耗尽区，无导电沟道，不导通。2.1.1N沟道增强型MOSFET的工作原理（续）(3)VGS=VGS(th) 纵向电场足够强，吸引电子足够多,复合有余,开始形成电子层（反型层），产生导电沟道，管子开