碳化硅（SiC）功率半导体可靠性测试方法编制说明.pdfVIP

《碳化硅（SiC）功率半导体可靠性测试方法》团体标准

征求意见稿编制说明

一、任务来源

近年来，碳化硅功率半导体作为第三代半导体的核心代表，其发展深刻影响着电力电子技术的演进轨

迹。与传统硅基器件相比，该材料凭借其宽禁带特性，展现出卓越的耐高压、耐高温能力以及优异的导热

性能，为实现高效率、高功率密度的能量转换系统提供了物理基础。

技术演进方面，产业界和研发机构持续推动器件结构的创新。初期应用多以平面型结构为主，而后逐

渐攻克了沟槽型结构的设计与制造难题，此举显著降低了器件的导通损耗，提升了开关频率与功率密度。

与此同时，针对更高电压等级的应用需求，相关研发工作不断取得进展，器件阻断电压能力持续提升，为

智能电网、轨道交通等高压大功率场景奠定了基础。材料衬底尺寸的增大是另一显著趋势，更大直径的衬

底晶片对于降低单位芯片成本、促进产业规模化应用具有关键意义。

随着碳化硅功率半导体从实验室走向大规模产业化，特别是在新能源汽车主驱逆变器、车载充电系统

以及能源基础设施等关键领域的渗透率不断提高，其可靠性已成为产业链关注的焦点。与成熟的硅基器件

相比，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压不稳定性、体二极管的双极型退化效应以及栅氧

层的长期可靠性等问题，带来了独特的测