CN119647371A 抗单粒子闩锁效应的sram编译器设计方法和装置 （湖南融创微电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119647371A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510190964.5

(22)申请日2025.02.20

(71)申请人湖南融创微电子股份有限公司

地址410205湖南省长沙市长沙高新开发

区尖山路18号中电软件园二期第A5栋

1层101号

(72)发明人刘晔刘祥远陈强祁勇赖善坤房盼攀

(74)专利代理机构长沙国科天河知识产权代理

有限公司43225

专利代理师周达

(51)Int.Cl.

G06F30/3308(2020.01)

G06F30/337(2020.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器设计方法

和装置

(57)摘要

CN119647371A本申请涉及一种抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器设计方法和装置。该方法包括：对SRAM编译器的底层子模块进行器件级单粒子闩锁效应仿真；根据仿真结果制定底层子模块的加固设计规则；根据加固设计规则优化和改进底层子模块，并将其制作成抗闩锁加固数据库；获取不同容量存储器中抗闩锁加固数据库的拼接规律，并利用高级编程语言描述该拼接规律；利用高级编程语言对抗闩锁加固数据库的底层子模块进行调用，从而生成不同容量的存储器。本