CN119647405A 光刻胶模型优化及构建方法和光刻模型构建方法 （粤芯半导体技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119647405A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510177635.7

(22)申请日2025.02.18

(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司

地址510000广东省广州市黄埔区凤凰五

路28号

(72)发明人姜晓晴曾辉

(74)专利代理机构北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)11400

专利代理师黄锦添

(51)Int.Cl.

G06F30/398(2020.01)

G03F7/20(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图5页

(54)发明名称

光刻胶模型优化及构建方法和光刻模型构

建方法

(57)摘要

CN119647405A本发明公开一种光刻胶模型优化及构建方法和光刻模型构建方法，光刻胶模型优化方法包括光刻胶阈值模型在完成迭代优化后，将迭代优化后得到的第一模型参数数据中的成像光强曲率的系数降低以得到第二模型参数数据，再次对第二模型参数数据进行迭代优化。与传统的仅进行一次迭代优化而建立的光刻胶阈值模型相比，通过本发明的方法得到的修正的光刻胶阈值模型能够在保持模型精度的前提下准确预测晶圆上回字形类型的特殊图形的漏光现象，避免出现模型过度修正的情况。同时在验证优化时仅需要回字形图形的数据，数据获取难度低。