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《硅集成电路工艺》硅集成电路工艺期末试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共40分）

1.在硅集成电路工艺中，单晶硅衬底的主要制备方法是（）

A.区熔法

B.直拉法

C.外延生长法

D.离子注入法

2.光刻工艺中，负光刻胶曝光后的显影过程是（）

A.曝光区域溶解，未曝光区域保留

B.未曝光区域溶解，曝光区域保留

C.曝光区域交联，未曝光区域溶解

D.未曝光区域交联，曝光区域保留

3.热氧化生长SiO?时，湿氧氧化速率（）

A.大于干氧氧化速率

B.小于干氧氧化速率

C.等于干氧氧化速率

D.与干氧氧化速率无关

4.离子注入掺杂中，导致“沟道效应”的主要原因是（）

A.离子能量过低，无法穿透表面氧化层

B.离子沿晶格方向运动，核碰撞能量损失小

C.衬底温度过高，离子扩散增强

D.注入剂量过高，形成非晶层

5.在CMOS工艺中，n阱与p阱之间的隔离技术通常采用（）

A.金刚石隔离

B.浅槽隔离（STI）

C.外延隔离

D.多晶硅隔离