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集成电路工艺试题及详细答案

一、填空题（每空2分，共20分）

集成电路工艺中，硅片清洗的核心目的是去除硅片表面的污染物（包括颗粒、金属杂质、有机杂质等），为后续工艺提供洁净的衬底环境。

氧化工艺中，常用的两种氧化方式是干氧氧化和湿氧氧化，其中氧化速率更快的是湿氧氧化。

光刻工艺的核心步骤依次为：涂胶、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶。

离子注入工艺中，剂量和能量是两个关键参数，分别决定了注入杂质的总量和深度。

化学机械抛光（CMP）的核心作用是实现硅片表面的全局平坦化，为多层布线工艺奠定基础。

金属化工艺中，集成电路互连常用的金属材料是铜（Cu），相较于铝（Al）其最大优势是电阻率更低、抗电迁移