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半导体原料制备工专项知识考试复习题库（附答案）
单选题
1.硅材料的热膨胀系数（CTE）是多少？
A、2.6×10^-6/K
B、2.6×10^-5/K
参考答案：A
2.区熔法（FZ）生产单晶硅的主要优点是具有极低的？
A、硅氧杂质浓度
B、电阻率
C、位错密度
参考答案：A
3.直拉法生长单晶硅时，石英坩埚内壁会沉积一层氧化物，这被称为什么？
A、脏层
B、喷砂纹
C、硅氧沉积
参考答案：A
4.单晶硅棒表面出现的橘皮状缺陷通常称为？
A、旋节分解
B、块状分解
参考答案：A
5.在多晶硅生产中，还原炉内的多晶硅沉积温度通常控制在多少度左右？
A、
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