CN202510035639.1-一种避免硅电容翘曲的方法-公开.pdfVIP

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  • 2026-06-08 发布于重庆
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CN202510035639.1-一种避免硅电容翘曲的方法-公开.pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN122138412A

(43)申请公布日2026.06.02

(21)申请号202510035639.1

(22)申请日2025.01.09

(66)本国优先权数据

202411737351.02024.11.29CN

(71)申请人上海新微技术研发中心有限公司

地址201800上海市嘉定区菊园新区胜竹

路1399号2幢9层930室

(72)发明人袁倩李传旭

(74)专利代理机构苏州创智高诺知识产权代理

有限公司32843

专利代理师白莉莉

(51)Int.Cl.

H10D1/66(2025.01)

权利

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