模拟设计工程师笔试题：CMOS反相器特性分析与电流关系.pdfVIP

威盛(VIA)2007.10.27笔试题目(模拟设计工程师)由于最后时间仓促，又是俄语专业，因

此英语记录并不十分准确，尤其是红色标注的部分。

全英文题目，要求详细写出推导过

程，酌情给分。

Q1、画曲线关系

1)g与V‑V的关系，W/L是

mGSTH

常数2)g与V‑V的关系，I是

mGSTHD

常数3)g与I的关系，W/L是常数

mD

Q2、一个CMOS反相器，给出输入输出电压特性曲线

1)分别给出M1和M2在区域12345的工作模型。2)哪个

区域的增益最大，求小信号电压增益。3)画出传输特性曲线，(β/

N

β)(β/β)(β/β)

P1NP2NP3

Q31)给出I与Iref的关系2)(W/L)=60，(W/L)=60，Iref=50μA，说明M1和M4的尺寸应

OUT23

满足的条件，以确保I精确(沟道调制依赖性)，并计算I。给出你的理由。