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微纳加工工程师考试试卷及答案

一、填空题（10题，每题1分）

1.光刻胶按曝光后显影特性分为______和负性光刻胶。

2.干法刻蚀中，电感耦合等离子体（ICP）刻蚀的核心优势是______。

3.化学气相沉积（CVD）的主要类型包括LPCVD、PECVD和______。

4.微纳加工的特征尺寸通常以______为单位。

5.光刻工艺的核心步骤包括涂胶、曝光、______和坚膜。

6.LIGA工艺由X射线光刻、微电铸和______组成。

7.SOI材料的全称是______。

8.原子层沉积（ALD）通过______交替吸附反应实现原子级薄膜沉积。

9.电子束光刻的分辨率比紫外光刻______。

10.湿法刻蚀的典型特点是______（选填“各向异性”或“各向同性”）。

二、单项选择题（10题，每题2分）

1.对i线（365nm）紫外光敏感的光刻胶是？

A.正性光刻胶B.负性光刻胶C.电子束光刻胶D.X射线光刻胶

2.以下干法刻蚀中各向异性最优的是？

A.等离子刻蚀B.RIEC.ICP刻蚀D.离子束刻蚀

3.CVD技术中沉积温度最低的是？

A.APCVDB.PECVDC.LPCVDD.热CVD

4.微纳加工常用衬底材料不包括？

A.硅片B.玻璃C.蓝宝石D.塑料

5.LIGA工艺的第一步是？

A.X射线光刻B.微电铸C.注塑D.剥离

6.ICP刻蚀的核心离子源类型是？

A.电容耦合B