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微弧氧化陶瓷膜制备技师考试试卷及答案

微弧氧化陶瓷膜制备技师考试试卷

一、填空题（共10题，每题1分，共10分）

1.微弧氧化常用电解质体系包括硅酸盐、铝酸盐、______和碳酸盐。

2.微弧氧化电源以______为主，可精准控制膜层生长。

3.铝基体微弧氧化膜的主要成分为______。

4.微弧氧化起弧时，电压通常达到______（基体不同略有差异）。

5.冷却系统常用______作为冷却介质。

6.测量膜层厚度的常用仪器是______。

7.电解液浓度过高易导致膜层______，降低质量。

8.微弧氧化适用基体包括铝、镁、______等阀金属。

9.膜层硬度通常______基体硬度。

10.膜层后处理常用______工艺降低孔隙率。

一、填空题答案

1.磷酸盐

2.脉冲直流电源

3.氧化铝（Al?O?）

4.起弧电压（100-300V左右）

5.水（或乙二醇水溶液）

6.涡流测厚仪

7.击穿（或过度溶解）

8.钛

9.高于

10.封闭（封孔）

二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）

1.微弧氧化电源最常用的是（）

A.直流电源B.脉冲直流电源C.交流电源D.高频交流电源

2.镁基体微弧氧化膜主要成分是（）

A.Al?O?B.MgOC.TiO?D.SiO?

3.电解液中促进膜生长的离子是（）

A.Cl?B.SO?2?C.F?D.Na?

4.起弧后电压变化趋势（）

A.持续