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电子技术基础与电路设计手册

第1章模拟电子技术基础

1.1半导体器件的工作原理与特性

半导体的核心特性在于其导电能力介于导体和绝缘体之间，且受光照、温度及外加电压的显著影响。以硅（Si）为例，当温度每升高10℃，其禁带宽度约缩小2mV，导致本征载流子浓度呈指数级增加，从而使电阻率急剧下降。掺杂是制造半导体器件的基础，通过引入杂质原子改变材料的导电类型。在P型硅中，受主杂质（如硼）提供空穴作为多数载流子；在N型硅中，施主杂质（如磷）提供自由电子作为多数载流子。

PN结是半导体器件的核心结构，由P区和N区接触形成。当光照照射PN结时，光子能量大于禁带宽度，激发的电子-空穴对会在耗尽层附近复合，产生光电流，这是光电二极管工作的基础。二极管的单向导电性源于PN结的势垒区。正向偏压时，外加电场削弱了内部电场，势垒降低，载流子扩散运动占主导，形成较大的正向电流；反向偏压时，势垒升高，只有极微小的反向饱和电流流过，实现了整流功能。三极管（BJT）基于电流控制原理，由发射极、集电极和基极组成。发射结正偏、集电结反偏时，发射极注入的载流子被集电结收集，形成放大作用，其电流增益$\beta$通常在50~200之间。

三极管的开关特性表现为截止区（$V_{BE}$接近0V或$V_{CE}$接近$V_{CC}$）和饱和区（$V_{C