光刻方法原理与应用实战解析.pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

样品进行等离子体轰击对待加工样品在第一区域裸露的表面进行刻蚀或沉积同时使得所述图形单元之间的光刻胶在第二区域脱落并露出待加工样品表面在第一区域和第二区域对所述待加工样品进行刻蚀或沉积本发明的光刻方法可以凭借单次光刻获得具有不同高度的光刻结构

（10）申请公布号

CN102981359A

（43）申请公布日2013.03.20

（21）申请号CN201210492719.2

（22）申请日2012.11.28

（71）申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址215123江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

（72）发明人付思齐;时文华;刘彬;侯克玉;张宝顺

（74）专利代理机构