电子材料与芯片制造大模型：新型半导体材料设计、工艺窗口探索与良率提升建议_1.docx

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《电子材料与芯片制造大模型：新型半导体材料设计、工艺窗口探索与良率提升建议》

一、调研概述

1.1调研背景与目的

随着摩尔定律逼近物理极限，单纯依靠微缩晶体管尺寸以提升芯片性能的路径正面临原子尺度的量子隧穿效应与无法承受的功耗密度双重挑战。

传统硅基材料的潜力挖掘殆尽，产业界迫切需要在“后摩尔时代”寻找新的技术突破口，将目光聚焦于颠覆性的新型半导体材料与架构。

在此背景下，以人工智能大模型为代表的“AIforScience”新范式，正以前所未有的速度和规模，变革着电子材料的研发模式。

本报告旨在系统梳理电子材料与芯片制造大模型在新型半导体材料发现、工艺窗口探索与良率提升