华东理工大学《电工学》笔记-知识点复习.pdfVIP

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  • 2026-06-09 发布于广东
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华东理工大学《电工学》笔记-知识点复习.pdf

电工基础期末知识点

项目一、常用半导体器件

(一)半导体二极管

1、本征半导体:纯净晶体结构的半导体,由硅(Si)或锗(Ge)构成。

2、本征激发:本征半导体随温度增高产生更多空穴-自由电子对,导电能力增强。

3、杂质半导体:N型半导体(掺5价元素:如磷(P))、P型半导体(掺3

价元素:如硼(B))。杂质增加本征半导体导电性。虽然导电性增加,杂质半

导体整体对外呈电中性,正负电荷仍相等。

4、多子:掺杂产生的多数载流子,N型半导体多子为自由电子,少子为空穴,P

型半导体多子为空穴,少子为自由电子。

5、P型半导体与N型半导体相连,由于两种半导体中多子浓度的差异,产生扩

散运动。在连接交界处,空穴电子和空穴相互复合,形成空间电荷区,产生内电

场。内电场阻碍扩散运动,并产生漂移运动。

6、二极管正向电压大于死区电压时导通,导通压降:U(on):硅管:U(on)=0.7V,

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锗管:U(on)=0.3V;反向电压小于击穿电压U时二极管截止。对理想二极管,

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