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光电子器件设计与制造手册

第1章光电子器件基础理论与材料特性

1.1半导体物理与能带结构

能带理论是理解半导体光电特性的基石，其中价带（ValenceBand）位于费米能级（$E_F$）下方，由填满的电子占据；导带（ConductionBand）位于$E_F$上方，允许电子跃迁；禁带宽度（BandGap,$E_g$）是价带顶与导带底的能量差，直接决定了材料的导电类型（n型/p型）及光吸收阈值。在本章讨论中，我们重点考察直接带隙半导体（如GaAs）与间接带隙半导体（如Si）的区别，因为直接带隙材料具有更小的$E_g$（约1.42eV）和更高的光生载流子复合效率，更适合用于光电器件。

能带图中，热激发产生的电子从价带跃迁至导带，同时产生一个带正电的“光生空穴”，这一过程称为本征激发；而在光电器件应用中，我们更关注受激辐射过程，即电子从导带跃迁回价带释放光子。实验测定表明，对于典型的光电探测器材料，其带隙通常在0.8eV至2.5eV之间，以确保在太阳光谱范围内（300-1100nm）具备足够的吸收系数（$\alpha10^4cm^{-1}$）。当电子被光子激发后，其初始状态受温度（$T$）和光照强度影响，表现为具有平均动能的费米-狄拉克分布，而非单一的量子态；在器件工作时，这些高能电子会因碰撞而迅速损失能量。

理解能