CN119677152A 一种低阻超结结构及其制造方法 (杭州谱析光晶半导体科技有限公司).docxVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.21万字
  • 约 18页
  • 2026-06-09 发布于山西
  • 举报

CN119677152A 一种低阻超结结构及其制造方法 (杭州谱析光晶半导体科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119677152A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202411768254.8

(22)申请日2024.12.04

(66)本国优先权数据

202411281253.02024.09.13CN

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司地址浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路

168号3幢4层405

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙)11804

专利代理师李波

(51)Int.Cl.

H10D62/10

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档