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CN119677159A 形成半导体结构的方法 （联芯集成电路制造(厦门)有限公司）.docxVIP

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  • 2026-06-09 发布于山西
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CN119677159A 形成半导体结构的方法 （联芯集成电路制造(厦门)有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119677159A

    (43)申请公布日2025.03.21

    (21)申请号202311210237.8

    (22)申请日2023.09.19

    (71)申请人联芯集成电路制造（厦门）有限公司

    地址361101福建省厦门市翔安区万家春

    路899号

    (72)发明人刘建陈晨黄清俊谈文毅欧阳锦坚

    (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

    专利代理师王锐

    (51)Int.Cl.

    H10D84/03(2025.01)

    权利要求书1页说明书3页附图4页

    (54)发明名称

    形成半

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