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纳米科技技术与产业发展手册（执行版）

第1章纳米材料制备与合成技术

1.1气相沉积与分子束外延技术

气相沉积技术（PVD和CVD）通过加热源使金属或半导体材料气化，在基底表面形成固态薄膜，其中化学气相沉积（CVD）利用气体前体在加热下发生化学反应固态产物，是目前制备高纯度纳米薄膜的主流方法。在制备纳米线时，常选用硅烷（SiH4）作为前体，在400-600°C的温度下通入氢气（H2）保护气，通过甲烷（CH4）与硅烷的裂解反应，在碳硅异质基底上生长出直径10-100nm的硅纳米线，其结晶度直接影响电学性能。分子束外延（MBE）技术利用超高真空环境，通过热蒸发源源发射原子束，在低温区（约80K）的衬底上逐层外延生长晶体薄膜，该方法对基底清洁度要求极高，通常采用分子束外延生长硅纳米线时，需将基底温度控制在450K左右，以平衡原子迁移率与成核速率，确保纳米线具有完美的单晶结构。

气相沉积过程中需严格控制前体气体的流量比（如SiH4:H2比例），流量比偏离最佳值会导致薄膜厚度不均或出现非晶态结构，因此实验人员需通过在线监测系统实时调整气体混合比例，使沉积速率稳定在0.5-2.0nm/min范围内，以保证薄膜的均匀性。在生长纳米线过程中，基底温度是决定纳米线直径的关键参数，温度过高会导致晶格畸变和晶格收缩，温度过低则生长速率过慢且易产生缺陷，因此需精确