CN119767719A 嵌入式SiGe外延的制备方法 (重庆芯联微电子有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-10 发布于重庆
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CN119767719A 嵌入式SiGe外延的制备方法 (重庆芯联微电子有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119767719A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411914198.4C30B25/04(2006.01)

C30B29/10(2006.01)

(22)申请日2024.12.24

(71)申请人重庆芯联微电子有限公司

地址401331重庆市沙坪坝区高新区西永

街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153

(72)发明人梁欢郑印呈

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师贺妮妮

(51)Int.Cl.

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