CN119775606A 一种SiO2@BN核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法 (大同共聚(西安)科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-10 发布于重庆
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CN119775606A 一种SiO2@BN核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法 (大同共聚(西安)科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119775606A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202411914339.2

(22)申请日2024.12.24

(71)申请人大同共聚(西安)科技有限公司

地址710065陕西省西安市高新区科技路

48号创业广场1幢C0101号房1F412

(72)发明人聂麒曌刘晓旭孙家明李陶琦

(74)专利代理机构哈尔滨市松花江联合专利商

标代理有限公司23213

专利代理师李红媛

(51)Int.Cl.

C08J5/18(2006.01)

C08L79/08(2006.01)

C08K9/10(2006.01)

C08K

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