CN119692294A 基于Power Switch的碳硅三维集成方法和装置 （中国人民解放军国防科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119692294A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202510205274.2

(22)申请日2025.02.24

(71)申请人中国人民解放军国防科技大学

地址410073湖南省长沙市开福区德雅路

109号

(72)发明人朱麒瑾陈小文袁珩洲芮志超李晨鲁建壮刘畅

(74)专利代理机构长沙国科天河知识产权代理

有限公司43225

专利代理师唐品利

(51)Int.Cl.

G06F30/394(2020.01)

G06F30/392(2020.01)

G06F13/40(2006.01)

G06F119/08(2020.01)

G06F119/06(2020.01)

权利要求书2页说明书8页附图6页

(54)发明名称

基于PowerSwitch的碳硅三维集成方法和

装置

(57)摘要

CN119692294A本申请涉及一种基于PowerSwitch的碳硅三维集成方法和装置。所述方法包括：获取硅电路部分的工作电压及最大导通电流，使用CNTFET实现PowerSwitch；根据设计的饱和电流以及IR_drop，计算电源开关网络中PowerSwitch单元的数量，进一步确定电源开关网络的排布类型；根据排